這款芯片的研發(fā)成功，標(biāo)志著我國(guó)在光電集成領(lǐng)域取得了重大突破。據(jù)了解，這款芯片采用了8寸SOI硅光晶圓鍵合8寸鈮酸鋰晶圓，實(shí)現(xiàn)了單片集成光電收發(fā)功能。這種技術(shù)在全球范圍內(nèi)都處于領(lǐng)先地位，是我國(guó)自主研發(fā)的一項(xiàng)重要成果。薄膜鈮酸鋰在濾波器、光通訊、量子通信、航空航天等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于鈮酸鋰材料脆性大，尺寸越大越難制作，因此業(yè)界對(duì)薄膜鈮酸鋰的研發(fā)主要集中在3寸、4寸以及6寸晶圓。而九峰山實(shí)驗(yàn)室成功研發(fā)出首款8寸硅光薄膜鈮酸鋰晶圓，這是一款具有劃時(shí)代意義的產(chǎn)品。它的研發(fā)成功不僅為我國(guó)光電集成領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的動(dòng)力，同時(shí)也為全球范圍內(nèi)的高端光芯片規(guī)模制造提供了新的可能。

這款芯片的成功研發(fā)，充分展示了我國(guó)在科技創(chuàng)新領(lǐng)域的實(shí)力和水平。為科研人員點(diǎn)贊！