長江存儲，這家在全球3D NAND Flash領(lǐng)域迅速崛起的企業(yè)，近日再次在美國對半導(dǎo)體巨頭美光發(fā)起專利訴訟。此次訴訟直指美光侵犯了其在美國的11項關(guān)鍵技術(shù)專利，涵蓋從96層到232層不同層數(shù)的先進(jìn)3D NAND Flash產(chǎn)品。長江存儲不僅要求法院禁止美光在美國銷售相關(guān)侵權(quán)產(chǎn)品，還索賠專利使用費(fèi)。值得注意的是，這并非雙方首次交鋒，去年11月，長江存儲就已在加州法院就8項專利侵權(quán)問題對美光提起訴訟。面對長江存儲的強(qiáng)硬態(tài)度，美光方面卻選擇保持沉默，未做任何公開回應(yīng)。這場跨國專利大戰(zhàn)，無疑再次將全球半導(dǎo)體行業(yè)的競爭推向了新的高潮。

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